Micron رکورد سرعت را شکست: حافظه LPDDR5X جدید مخصوص گوشی‌های ۲۰۲۶

شرکت Micron به‌تازگی نمونه‌های اولیه از سریع‌ترین و باریک‌ترین حافظه LPDDR5X جهان را روانه بازار کرده است.

به گزارش gsxr و به نقل از تک‌اسپات، این حافظه بر پایه فناوری ۱γ (یک-گاما) ساخته شده و قرار است در گوشی‌های هوشمند پرچمدار سال ۲۰۲۶ مورد استفاده قرار گیرد. این محصول نه‌تنها از نظر سرعت، بلکه از لحاظ مصرف انرژی و ضخامت، استانداردهای جدیدی در صنعت حافظه تعریف می‌کند.

طبق اعلام Micron، این رم جدید می‌تواند به سرعت ۱۰/۷ گیگابیت‌برثانیه برسد و در مقایسه با مدل‌های فعلی LPDDR5X تا ۲۰ درصد مصرف انرژی کمتری دارد. چنین ویژگی‌هایی می‌تواند عملکرد پردازش هوش مصنوعی روی دستگاه را ارتقا دهد، که امروزه نقشی کلیدی در تجربه کاربری گوشی‌های هوشمند دارد.

حافظه جدید در بسته‌های ۴۹۶ پینی و ظرفیت‌های ۸ و ۱۶ گیگابایت عرضه می‌شود و تنها ۰/۶۱ میلی‌متر ضخامت دارد؛ رقمی که دست‌کم ۶ درصد باریک‌تر از محصولات رقباست. این کاهش ضخامت، فرصت طراحی دستگاه‌های تاشو و بسیار باریک را فراهم می‌آورد.

 

در آزمایش‌های داخلی Micron، این رم جدید توانست پاسخ‌دهی به درخواست‌هایی نظیر پیشنهاد رستوران در نزدیکی کاربر را تا ۳۰ درصد سریع‌تر کند و در ترجمه صوتی انگلیسی به متن اسپانیایی برای مسیر‌یابی، تا ۵۰ درصد سرعت بیشتر از نسل قبلی داشته باشد. همچنین، هنگام تحلیل اطلاعات برای توصیه خودروی مناسب، تا ۲۵ درصد سریع‌تر عمل کرد.

این حافظه بخشی از نسل ششم DRAM مبتنی بر فرآیند ۱۰ نانومتری کلاس جدید Micron است و قرار است در کنار گوشی‌های هوشمند، در دیتاسنترها، رایانه‌های هوش مصنوعی و حتی خودروها مورد استفاده قرار گیرد. نسخه‌های ۳۲ گیگابایتی این رم نیز در زمان عرضه رسمی در سال ۲۰۲۶ در دسترس خواهد بود.

علاوه بر این، Micron مشغول توسعه نسل جدیدی از حافظه‌های SSD با استاندارد PCIe 6.0 است که به پهنای باندی فوق‌العاده بالا دست یافته‌اند؛ یکی از نمونه‌های نمایشی آن توانست سرعت خواندن متوالی ۳۰/۲۵ گیگابایت‌برثانیه را ثبت کند.