تحولی بزرگ در فناوری حافظه و پردازش دستگاههای الکترونیکی
تحولی بزرگ در فناوری حافظه و پردازش دستگاههای الکترونیکی
به گزارش gsxr و به نقل از سایتکدیلی، این آلیاژ با نام Ni4W که از ترکیب نیکل و تنگستن ساخته شده، قادر است بدون نیاز به آهنرباهای خارجی، حالتهای مغناطیسی را تغییر دهد. این قابلیت منحصر به فرد میتواند مصرف انرژی در طیف وسیعی از دستگاهها، از گوشیهای هوشمند تا مراکز داده را به میزان چشمگیری کاهش دهد.
بر این اساس، این آلیاژ که با استفاده از روشهای استاندارد تولید میشود، میتواند گزینهای ایدهآل برای صنعت الکترونیک باشد.
جیان-پینگ وانگ، استاد برجسته دانشگاه مینهسوتا و از نویسندگان ارشد این پژوهش، در این باره میگوید: «Ni4W میتواند مصرف انرژی برای نوشتن دادهها را کاهش دهد و به طور بالقوه استفاده از انرژی در دستگاههای الکترونیکی را به میزان قابل توجهی کم کند.»
گفتنی است این آلیاژ با تولید گشتاور اسپین-اوربیت (SOT) قوی، امکان کنترل مغناطیس در دستگاههای حافظه و منطقی نسل بعدی را فراهم میآورد.
ییفی یانگ، دانشجوی دکترا و از نویسندگان اول این مقاله، توضیح میدهد: «برخلاف مواد متعارف، Ni4W میتواند جریانهای اسپین را در چندین جهت تولید کند و امکان تعویض حالتهای مغناطیسی بدون نیاز به میدانهای مغناطیسی خارجی را فراهم میآورد.»
شایان ذکر است که این کشف میتواند راه را برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی کممصرف و پرسرعت هموار کند.
سانگجون لی، پژوهشگر فوقدکترا و از نویسندگان اول این مقاله، با بیان اینکه محاسبات تئوری آنها نتایج آزمایشها را تأیید کرده است، اظهار داشت: «ما بسیار هیجانزده هستیم که میبینیم محاسبات ما انتخاب این ماده و مشاهدات آزمایشی SOT را تأیید میکند.»
حتما بخوانید : کشف سرنخ جدیدی از راز برتری ماده بر پادماده
